โ Etch ์ฅ์น์ ๊ตฌ์ฑ ์์
* Pump
- Dry Pump (QDP) : ๋จผ์ ์ ๋นํ ์ง๊ณต (sub Fab)
- TMP (Turbo Molecular Pump) : ๊ณ ์ง๊ณต
- Scrubber : ๋ฐ๋์ฒด ๊ณต์ ์์ ๋ฐ์๋ ์๋ฅ ์ ํด gas๋ฅผ ๋ฌดํด gas๋ก ๋ณํ ๋ฐฐ์ถํ๋ ์ฅ์น
* RF Generator
* Chiller : ๋ฐ์ ์ด ๋๊ฐ์์ผ ์๊ฐ์ ๊ท ์ผ๋ ๋ฐ Damage ๊ฐ์ ์ํค๋ ๊ธฐ๋ฅ
* ESC (Electro Static chuck) : ์ ์ ๊ธฐ์ ํ์ ์ด์ฉํ์ฌ W/F ์ก์์ฃผ๋ ์ญํ
* Process Chamber
* Gas Box : Gas ์ ๋ ์กฐ์ by MFC
* Main Controller
* ์ง๊ณต ; ์ผ์ ๊ณต๊ฐ๋ด์ ๋ถ์๋ฅผ ๋๊ธฐ์ ์ดํ๋ก ์ ๊ฑฐํ ์ํ (๋ค๋ฅธ ๊ธฐ์ฒด๋ค์ด ์ ๊ฑฐ๋ ๊ณต๊ฐ)
- ๋ถ์๋ฌผ๊ณผ ๊ธฐํ ๊ธฐ์ฒด ๋ถ์๋ค์ ์ ๊ฑฐํ์ฌ ๊นจ๋ํ ์ํ์์ ์์ํ ๋ฐ์์ ํ ์ ์๋๋ก, ์์ฐ์ฑ์ ์ข๊ฒ ํ๊ธฐ ์ํด ์ฌ์ฉ
- 1atm = 760Torr = 760mmHg = 1013mbar = 101.3kPa
* MFP (Mean Free Path) ํ๊ท ์์ ํ๋ก
- ํ ์ ์๊ฐ ๋ค๋ฅธ ์ ์์ ์ถฉ๋ํ๊ธฐ ์ ๊น์ง ์ด๋ํ ํ๊ท ๊ฑฐ๋ฆฌ
โ Ashing
- PR ์ ๊ฑฐ : Dry ashing(O2 Plasma, 250โ-cooling ํ์) + Wet strip (ํฉ์ฐๅค) + DIW RInse
- ์กฐ๊ฑด -
โ PR์ด ์์ ํ ์ ๊ฑฐ ๋์ด์ผ ํจ.
โก Rinse ๊ณต์ ์ผ ํตํด ์จ์ดํผ์์ ์ ๊ฑฐ
โข ์จ์ดํผ ํ๋ฉด์ด๋ ๊ธฐํ์ ์์์ํค์ง ๋ง์์ผ ํ๋ค.
- Ashing : Plasma ashing & O3 Ashing ๋ง์ด ์ฌ์ฉ
- Strip
: Metal ๋ฐฐ์ ์ด์ - H2SO4 + ๊ณ ์๋ H2O2 ํผํฉ์ก
: Metal ๋ฐฐ์ ์ดํ : ์ ๊ธฐ Strip
* Metal ๊ณต์ ์ ํ ๊ตฌ๋ถ : Cross Contamination ๋ฐฉ์ง
โ Etch ๋ถ๋ ์ฌ๋ก
1) Etch Rate Uniformity in wafer
Wafer ๋ด์์ ์์น๋ณ etch rate ๊ด๋ฆฌ(Uniformity)๊ฐ ๊ฐ์ฅ ์ค์ํจ
ex) ํํ์ฑ ๋ถ๋ fail (Center ์ชฝ etch rate high / Edge ์ชฝ etch rate low) - Unif +- 3.0%
=> Center ์ชฝ Tr ๋์ fast (Channel length ์ฐจ์ด๋ก ์ธํด)
=> Center / Edge ๊ฐ์ ์ฐจ์ด ์์ ์ค์ผํจ!!
* ์ฃผ์ ์์ธ : Chuck ์จ๋์ Uniformity, Gas flow rate, ์๋ ฅ, Dispense arm movement, chemistry type ๋ฑ
2) Pattern collapse
- ACI ์ํ์์ CD ์ธก์ (KLA)
- ํจํด์ด ๋ง๊ฐ์ง.
- Center/Edge ๊ฐ์ ์๊ฐ ์กฐ๊ฑด์ด ๋ฌ๋ผ์..
3) Reticle ๊ธฐ์ธ์ฑ Bridge
- ์ํ ํจํด์ธ Reticle ์์ฒด์ ๋ฌธ์
- 1. Revision, 2. Zapping(๋ ์ด์ ๋ก ๊น์๋)
4) Particle ์ฑ Pattern ๋ฐ๋ฆผ
- Particle = P/C
- ๊ณต์ ์ฑ P/C (์ํ)
- ์ค๋น์ฑ P/C (๊ฐํ)
*WAC (waferless auto cleaning) : ๊ณต์ ์งํ ์ ์ฑ๋ฒ Cleaning
5) ๊ธฐํ ์ฌ๋ฌ defect
- scratch, particle...
* Contact not open (Blocked contact)
* TSV ์ Etch loading effet
- etch depth ์ฐจ์ด
- ํด๊ฒฐ์ฑ : Ar flow rate chlwjrghk
* HAR(High Aspect Ratio) Contact Etch Issue
1) Bowing ์ธก๋ฒฝ etch
2) Twisting
- Cause : Electric field buildup due to charge deposition
high energy electron effect on feature twisting in SiO3 etching over Si
=> Increase high energy electron flux and energy to further neutralize positive charge on trench bottom and sidewalls.
=> control ion energy as etch proceeds to utilize selectivity difference between PR and SiO2 etching
* Undercut
- Etch rate๊ฐ ๋์ผ๋ฉด undercut์ ์ฃผ๋ ์์ธ์ด ๋จ.
- ํด๊ฒฐ์ฑ : ๋์ผํ etch/deposition time ratio
* Footing (Lateral undercut)
- Charge accumulation at the insulator (+์ด์จ๋ค์ด ์์ผ๋ก ์น๊ณ ๋ค์ด๊ฐ๋ค.)
=> electron์ผ๋ก ์คํ์์ผ์ค์ผํจ.
* Patterning defect (metal blocked etch)
- etch mask ํ์ฑ ๋ถ๋ (ADI pattern ๋ถ๋, particle)
* Via Unetch (open defect)
-Via: Contact ์ ํญ์ ์๊ฒ
- ์์ธ : Etch margin ๋ถ์กฑ, blocked particle
โ Cleaning ๋ถ๋
* Polymer residue
- Ashing ํ strip ๊ณผ์ ์์ PR ์ ๊ฑฐ => PR
* Pinhole defect
โ Etch ์์ง๋์ด
<๊ณต์ ์์ง๋์ด>
์์จ ํฅ์ & ์์ฐ์ฑ ํฅ์!!
- Etch ๊ณต์ ์ ์ ๋ ฅ/์ถ๋ ฅ ๋ฐ์ดํฐ ๊ด๋ฆฌ ๋ฐ ๋ถ์
- Etch ๊ณต์ ๊ฐ์ ๋ฐ ๊ฐ๋ฐ
- ์์จ ๋ถ์ ๋ฐ ๊ฐ์ ํฅ์
- Etch ๊ด๋ จ ๋ถ๋ ๋ถ์ ๋ฐ ๊ฐ์
<์ค๋น ์์ง๋์ด>
- ๋ณด์/์ ์ง => ๊ฐ๋๋ฅ ๋์ฌ์ ์์ฐ์ฑ ์์จ ๊ด๋ฆฌ
'๋ฐ๋์ฒด ๊ณต๋ถ' ์นดํ ๊ณ ๋ฆฌ์ ๋ค๋ฅธ ๊ธ
[Etch ๊ณต์ ์ฌํ 4] Dry Etch (0) | 2021.03.27 |
---|---|
[Etch ๊ณต์ ์ฌํ 3] ํ๋ผ์ฆ๋ง ์ข ๋ฅ์ ์์ฉ(Feat.Dry Etch) (0) | 2021.03.27 |
[Etch ๊ณต์ ์ฌํ 2] Etch ๊ณต์ ์ ๋ชฉ์ ๊ณผ ์ฅ๋จ์ (Feat.ํ๋ผ์ฆ๋ง) (0) | 2021.03.26 |
[Etch ๊ณต์ ์ฌํ 1] Etch ๊ณต์ ์ ์ ์์ ์ฉ์ด (0) | 2021.03.12 |
[Photo ๊ณต์ ์ฌํ3] (0) | 2021.02.24 |