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플라즈마

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[Etch 공정 심화 3] 플라즈마 종류와 응용(Feat.Dry Etch) ■ 플라즈마 종류와 응용 [플라즈마 발생 방식에 따른 분류] 1) DC 플라즈마 : 두 개의 평행 판 전극 사이에서 생성 - Anode와 Cathode가 있고 그 사이에 가스가 있어서 양 극 사이에 가해지는 전압으로 발생되는 플라즈마 - Glow Discharge(발광 방전) : 음극(Cathode) 쪽 Sheath에만 나타남. - 플라즈마가 Sheath 영역에서는 전기적으로 양성이므로 Cathode는 음극의 역할. - Sheath Voltage = 음극 근처 강한 전압으로 이온이 끌려오면서 폭격, 양극 근처에서는 X - Sputtering이나 Etching 공정에 사용 - 한 전극이 부도체(식각재료, 증착 기판, Sputter Target)이면 부도체 전극이 Charge-up 되어 방전전압을 상쇄, 방..

[Etch 공정 심화 2] Etch 공정의 목적과 장단점 (Feat.플라즈마) Etch 공정의 목적과 장단점 노광 공정에 의해 감광제에 패턴이 형성된 다음, 감광제의 패턴을 실제 박막에 옮기는 과정 반도체 소자 제작에서의 불필요한 부분을 제거하는 공정 1. 반도체 공정에서 집적도를 결정하는 것 2. 선택적 식각과 비선택적 식각으로 분류 (Wet etch - SiN : 인산 용액 -> 선택적 식각 전면 Etch back (E/B) -> 비선택적 식각) ■ 건식 식각 : 활성화된 플라즈마 가스 이용 ▶정의 : 특정 막과 반응하는 가스에 전원 공급 -> 플라즈마 발생 ->이온, 라디칼에 의해 제거할 층 식각 (Plasma assisted etch, 플라즈마는 가스들을 이온화시키고 다른 Radical 종들이 만들어진 상태.) - 가스의 선택 및 조절(by MFC)이 비교적 쉬워 정확한 패..

[반도체공정] 02. 식각(Etch) 공정 반도체 제조에서 특정 layer를 원하는 패턴으로 형성하는 식각(Etch)공정에 대해 알아보겠습니다!

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