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[21.02.24] 차반도체 부족에 현대차마저…이대로면 한달 내 재고 동나 전세계 車반도체 부족 심화 '3월 위기설'현실화 우려 확산 감산땐 협력사도 타격 불가피 현대차 "공급 원활하지 않아 글로벌 부품사와 협상 주력" 생산계획 점검 주단위로 전환 차량용 반도체 부족으로 글로벌 완성차 제조사들이 공장 셧다운 등 잇단 감산에 돌입한 가운데 현재 공장을 정상적으로 가동 중인 현대자동차와 기아도 조만간 영향을 받을 수 있다는 경고음이 나오고 있다. 그동안 확보했던 재고가 빠르게 소진되면서 현대차·기아마저 감산에 나서는 것 아니냐는 불안감이 확대되고 있는 상황이다. 현대차와 기아는 일주일 단위로 생산량 조정을 검토하기로 하는 등 비상경영 체제에 돌입했다. 23일 자동차 업계에 따르면 한국GM이 지난 8일부터 인천 부평2공장 생산량을 절반 이하로 줄인 가운데 현대차와 기아도 반도체 부품..

[데이터 관련 기사] "AI 분석 어떻게 믿냐고 물으면? 기업들이 결과 설명할 수 있어야" 세스 도브린 IBM 부사장 "기업이 '신뢰할 수 있는 인공지능(Trusted AI)'을 운용하려면 어떻게 해야 할까요? " => AI에 편견이 있지 않은지, 무엇을 하고 있는지 이해하고 어떻게 결과를 도출하는지까지 지속적인 모니터링이 필요" 도브린 부사장은 "신뢰할 수 있는 AI란 '투명하게 검증할 수 있느냐' 하는 의미"라며 "기업들이 AI 모델을 알고(know), 신뢰하고(trust), 사용(use)할 수 있어야 한다"고 말했다. AI가 결과 도출에 어떤 데이터를 사용했는지 추적할 수 있고 변화를 문서로 관리할 수 있어야 AI 모델을 제대로 아는 것이고, AI 모델을 검증하기 위한 규칙들을 자동화된 방식으로 집행할 수 있어야 신뢰성..

[Photo 공정 심화1] 1. Photo 공정의 개요 2. Track 구성/표면 처리/PR Spin Coating 3. Soft bake/Alignment/Exposure 4. PEB/Development/Hard bake/ADI 검사 5. Resolution과 DOF/NA/광원과 파장 6. Resolution 향상 방안 및 EUV/DPT/Q PT 7. PSM/OPC 8. Photo 현장 실무 9. Photo 불량 사례 (1) (2) ◆ CMOS Vertial Profile - N+, P+ : 고농도 (E15개/cm2) 불순물 주입된 전자, 정공 - N-, P- : 저농도 (E13개/cm2) 수준 불순물 주입 - Al-Cu : 99% Al에 0.5%가량 CU 합금 => 왜? Electro migration 예방하기 위해 Cu [..

[21.02.21] D램값 '사딸라시대' 덕에…하이닉스 시총 100조 찍었다 지난달 8일 이후 장중 재돌파 이달 11% 올라 14만원 육박 D램현물, 22개월만에 4달러 "삼전보다 하이닉스가 수혜" 낸드도 턴어라운드 기대감 올 영업익 99% 증가 전망 SK하이닉스가 D램(DRAM) 가격 상승으로 인한 업황 회복 기대 속에 이달 들어 주가가 11%가량 오르며 시가총액 100조원 고지 탈환을 앞두고 있다. 금융투자업계는 '메모리 반도체 2차 슈퍼사이클'이 진행되면서 SK하이닉스 실적이 고공행진을 이어갈 것으로 전망하고 있다. 22일 SK하이닉스 주가는 전 거래일(2월 19일)에 비해 2.63% 오른 13만6500원에 마감했다. 이달 들어 11.43% 올랐고 22일 장중 한때 시총 100조원을 넘어섰다. SK하이닉스 시총이 100조원을 넘어선 지난달 8일 이후 처음이다. 앞으로 주가가..

[7일차] Part 3. 반도체 소자 (DRAM, NAND Flash) 보호되어 있는 글입니다.

[6일차] Part 2. 반도체 공정 (산화/확산/이온주입 공정) 산화/확산 공정 1. 산화공정 - 산화막 형성 방법 및 사용 이유 - 열 산화막 성장 원리(Deal-Grove 모델) - 실리콘-열 산화막 전하 2. 확산 공정 (현재사용 X -> Ion Implanatation) - 확산 개념 - 확산 공정 방법 및 원리 1. 산화공정 1) 산화막 형성 방법 및 사용 이유 저온 : 증착한다! 고온 : 성장한다! => 열 산화막 ◆ 열 산화막 성장 방법 건식, 습식 식각이 있음. 성장 속도는 습식 산화가 빠르다.(5배~10배) => SiO2 내 용해도가 H2O > O2 - 전기적 특성은 건식이 우수 (느리기 때문에 막질이 치밀하다 & 발생된 수소에 의해 SiO2내에 들어가 있을 수 있음) => Gate oxide에 사용 - 열 산화막 성장 원리(Deal-Grove - 산..

[5일차] Part 2. 반도체 공정 (금속배선/CMP/Cleaning 공정) 금속배선 공정 1. 금속 배선 공정의 정의 2. 기존 배선 Al 공정의 한계 3. 구리 Cu 배선 공정 1. 금속 배선 공정의 정의 1) 금속 배선 공정 정의 반도체 회로 내 소자 간의 신호 전달 및 전력 공급을 위해 저 저항의 금속을 사용하여 소자 및 하부 배선들을 서로 연결하고 전기적으로 격리되어야 할 부분은 절연체를 사용하여 절연시키는 공정 * 하부쪽 실리콘과 열결된 hole = Contact, 금속 간 연결 = Via * 절연체 : ILD (Inter Layer Dielectric), IMD (Inter Metal Dielectric) 2. 기존 배선 Al 공정의 한계 1) 무어의 법칙 -> 반도체 칩 미세화 진행 -> 저항 및 정전 용량 증가 - 저항 R = 비저항ρ 과 도체 길이 L 에 비례 ..

[4일차] Part 2. 반도체 공정 (박막 공정) 박막증착 공정 1. 박막 증착 공정 개요 2. CVD 3. ALD 4. PVD 1. 박막 증착 공정 개요 1) 박막 증착 공정 정의 및 분류 - 박막은 통상 두께 1㎛ 이하의 막 - 원자 단위(Å)기 때문에 Thin film! 박막 증착 공정은 증착되는 물질의 상태에 따라 기상, 액체 상태로 나눌 수 있음. 기상상태는 PVD, CVD가 있고, PVD에는 스퍼터링이 주로 쓰임. CVD는 상압, 저압, 플라즈마강화, 금속유기물(디스플레이), 원자층 증착이 있음. 액체상태는 도금(금속배선공정) - 무전해, 전해 / 졸, 겔 - 회전도포, 침액, 분사 (거의 X) 2) 박막 공정 주요 변수 ① 종횡비 Aspect Ratio (hight/width) - High Aspect Ratio(HAR) -> 피복(Step..

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