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낸드

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[21.03.01] 삼성, 'D램·낸드·파운드리' 전방위 반도체 투자 속도 D램, 1분기에만 설비투자 60% 집중 파운드리, 5나노 라인 28K→43K 확대 낸드플래시, 中 시안 2공장 증설 전망 투자 계획 바짝 앞당겨 기술 격차 유지 삼성전자가 반도체 투자 속도전에 나섰다. 삼성전자는 최근 세계 반도체 시장이 공급 부족 및 슈퍼사이클에 진입하면서 투자 확대와 설비 구축 시기를 앞당겼다. 특히 주력인 D램뿐만 아니라 파운드리·낸드플래시까지 전방위 공세에 착수, 글로벌 반도체 시장에 미칠 영향이 주목된다. 1일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 올해 D램 투자 계획을 확대·변경한 것으로 알려졌다. 회사는 애초 올 1분기 평택 2공장(P2)에 12인치 웨이퍼 기준 월 3만장(30K) 규모의 설비를 투자하려던 계획을 변경, 4만장으로 확대했다. 이에 따라 연간 D램 투자 계획은 기존 6..

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